IRD二极管/光电二极管AXUV100G

IRD二极管/光电二极管提供了一种新的半导体辐射传感器产品线，用于检测光子和其他粒子。新的产品线包括税务局AXUV 100gxX射线光电二极管。X射线探测器具有已知的活性硅厚度和100%的内部量子效率，使得x射线通量的测量可以达到100千电子伏及以上。

Opto Diode独特的三线100gx AXUV光电二极管的特点大（10毫米x 10毫米平方）室温操作活动区和一个小型探测器的足迹。使用简单，不同于任何其他市场上的X射线探测器，税务局的X射线探测器的操作不需要外部电压。氮化氧化物前窗的AXUV 100gx二极管提供了一个gigarad（SiO2）的辐射硬度比标准硅PIN二极管的10000倍。光电二极管直接沉积，薄金属过滤器，可减少对可见光的反应几个数量级。

X射线响应的测量在PTB德国进行确认100gx AXUV设备响应可以从已知的硅层厚度计算。

先进的传感器被国际同步科学家和空间科学家用于太阳光谱研究。100 X射线探测器GX AXUV在国内生产，可用于运输，现在从Opto Diode的加利福尼亚南部设施。

•100mm2广场活动区

•响应@ 40nm 0.15 A / W

•检测范围为18nm

•带保护罩装运

活动面积10毫米×10毫米100平方毫米

响应度R”，40nm 0.15 A / W

并联电阻Rsh”，±10 MV 20毫欧姆

反向击穿电压VR 1r = 1µ10伏

电容，C = VR 0 V 10 44 NF

响应时间，TR RL = 50Ω，VR = V

环境- 10°到40°C

氮气或真空- 20°C到80°C

最高结温70°C

焊接温度260°C

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